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材料牌号 初始磁导率 比损耗因子 比温度系数 饱和磁通密度 剩磁 矫顽力 居里温度 电阻率 使用范围 密度
Unit symbol μ Tan δ/μ α μ γ Bs Br Hc Tc ρ F d
±20% ×10-6 ×10-6 (MT) (MT) (A/m) (C) (Ω·cm) Mhz g/cm3
F13 10 500(50MHz) 20-80 230(8000A/m) 165 2145 >300 >105 10-120 4.8
F3 20 250(4MHz) 30-80 270(8000A/m) 180 1425 >300 >105 5-70 4.8
F4 50 360(20MHz) 15-50 320(4000A/m) 190 620 >300 >105 0.5-20 4.8
F5 80 230(15MHz) 6月20日 360(4000A/m) 235 476 >300 >105 0.5-15 4.8
F6 100 85(1MHz) 15-20 410(4000A/m) 250 120 >250 >105 0.4-20 4.4
F7 250 60(1MHz) 10月16日 410(1600A/m) 230 76 >230 >105 0.1-4 4.8
F1 350 110(1MHz) 10月15日 260(1600A/m) 220 45 >150 >105 0.1-1 4.6
F8 400 40(0.1MHz) 5月10日 280(1600A/m) 145 70 >145 >105 0.1-1 4.5
F12 600 45(0.1MHz) 16-21 310(1600A/m) 150 40 >160 >105 3月13日 4.5
F2 650 20(0.1MHz) 2月5日 330(1600A/m) 150 35 >110 >105 0.1-1.5 4.9
F11 750 45(0.1MHz) 0-50 330(1600A/m) 150 35 >140 >105 0.1-2 4.7
F9 850 16(0.1MHz) 5月10日 350(1600A/m) 200 20 >110 >105 0.1-15 4.7
F14 1000 15(0.1MHz) 0.5-3 330(1600A/m) 130 28 >130 >105 0.05-1 5
F15 1500 23(0.1MHz) 2月4日 280(1600A/m) 100 10 >105 >105 0.01-0.5 5
F16 5000 <15(0.1MHz) -0.5 2.0 430(1194A/m) 140 8 >140 0.5 <0.1 4.85
F17 7000 <30(0.1MHz) -0.5 2.0 420(1194A/m) 110 7 >125 0.2 <0.1 4.9
F18 10000 <7.0 -0.5 2.0 400(1194A/m) 100 6.5 >120 0.15 <0.1 4.9
R650 650 60(0.1MHz) 0-30 36(1600A/m) 140 40 >110 >106 0.1-1.5 4.9

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